Tranzistoare cu materiale feroelectrice sau piezoelectrice în spatiul portii [616907]

Tranzistoare cu materiale feroelectrice sau piezoelectrice în spatiul portii

Cuprins
introducere
Istoric
Constructie
Utilizare
Clasificare t ranzis toare
Materiale piezoelectrice
Materiale feroelectrice
Parametri
Curentul de collector maxim
Tensiunea maxima admisa
Simulari
Referinte
Bibliografie

Introducere : Tranzistorul este un dispozitiv electronic din categoria semiconductoarelor cu cel puțin
trei terminale, acestea fiind borne sau electrozi , care fac legătura la regiuni diferite ale cristalului
semiconductor. Este folosit mai ales pentru a amplifica și a comuta semnale electronice și putere a
electrică.
Aspectul tranzistoarelor depinde de natura aplicației pen tru care sunt destinate. În 2017 încă se gas esc
unele tranzistoare ambalate individual, dar mai multe sunt găsite încorporate în circuite integrate.
Tranzistorul este componenta fundamentală a dispozitivelor electronice moderne, și este omniprezent
în sistemele electronice. Ca urmare a dezvoltării s ale la începutul anilor 1950, tranzistorul a
revoluționat domeniul electronicii, și a deschis calea pentru echipamente electronice mai mici si mai
ieftine cum ar fi aparate de radio, televizoare, telefoane mobile, calculatoare de buzunar, computere și
altele. (poza wiki https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/f/f8/Transistor -photo.JPG )

http://www.tehnium –
azi.ro/page/articole_articles/_/articles/notiuni -teoretice -din-electronica/Tranzistorul_bipolar

Istoric : Tranzistorul a fost inventat la Bell Telephone Laboratories din New Jersey la 6
decembrie 1947 de John Bardeen , Walter Houser Brattain , și William Bradford Shockley .
Descoperirea tranzistorului a determinat dezvoltarea electronicii fiind considerat una din cele mai mari
descoperiri ale erei moderne.

In urma cu mai bine de 1 secol, mai exact in 1907, a aparut o inventie care avea sa revolutioneze
complet lume a: trioda, aceasta fiind de fapt precusorul tranzistorului. Din 1907 si pana in 1947 cand a
aparut primul tranzistor in forma in care in cunoastem azi un singur cercetator a incercat sa mai
dezvolte aceasta idee: Julius Edgar Lilienfeld, care in anii ’20 a inregistrat patente pentru ideea sa de a
contrui un tranzistor solid. Din pacate el nu a venit cu nici o schema sau informatii care sa demonstreze
functionarea unui asemenea tranzistor, astfel ca pana in 1947 nu s -au inregistrat progrese.
In 1947, John Ba rdeen si Walter Brattain, ambii cercetatori la Laboratoarele Bell, detinute de AT&T,
au descoperit ca daca aplica contacte aurite pe un cristal de germaniu, semnalul de iesire este mai
puternic decat cel de intrare. Inventia celor doi, care au colaborat si cu William Shockley (seful
laboratorului), a fost primul tranzistor de tip punct -contact. Termenul de tranzistor fiind introdus de
catre John R. Pierce si isi are originea din “transfer resistor”, termen ce era utilizat in acea perioada.
In 1948, in Frant a, cercetatorii germani Herbert Mataré si Heinrich Welker lucrau la acelasi proiect,
mai exact tot la un tranzistor de tip punct -contact bazat pe germaniu. Ei au implementat tranzistorii
astfel descoperiti in reteaua de telefonie franceza, deoarece au real izat ca nu mai pot patenta inventia,
din moment ce americanii au patentat -o cu aproape jumatate de an inainte.

Primul tranzistor de siliciu a fost dezvoltat de Gordon Teal in 1954 la Texas Instruments si a fost
primul pas in era computerelor. Gordon Teal f iind un specialist in cresterea de culturi de cristale de
siliciu.

Dupa cum bine se stie, un procesor ce il gasesti in ziua de azi in orice computer, telefon mobil, radio,
etc., practic in orice echipament electronic, este format din miliarde de tranzist ori. De ce? Pai, de
exemplu, pentru o poarta logica simpla e nevoie de pana la 12 tranzistori, in functie de complexitate,
astfel ca in procesoarele din ziua de azi, care au o putere de procesare foarte mare, numarul
tranzistorilor ajunge frecvent sa fie d e ordinul miliardelor.
Asadar, fara tranzistori nu am avea microprocesoare, nici macar cele ce se gasesc in masini, in
computerele de bord care controleaz a toate procesele legate de func tionarea motorului si nu numai.
Asa cum in ziua de azi, fara un microcip care sa contina de la cateva mii pana la cateva miliarde de
tranzistori, noi nu putem face mai nimic, asa se prea poate ca in viitor masinile ce le vom conduce sa
fie masini hibrid sau complet electrice, care sa fie si prietenoase cu mediul, si eficiente, si cine stie,
poate chiar mai bune din toate punctele de vedere fata de masinile clasice.

CONSTRUCTIE : Tranzistorii se realizeaz ă pe un substrat semiconductor, în general siliciu, mai rar
germaniu, dar nu numai . Tehnologia de realizare diferă în funcție de tipul tranzistorului dorit. De
exemplu, un tranzistor de tip PNP se realizează pe un substrat de tip P, în care se creează prin diferite
metode (difuzie, de exemplu) o zona de ti p N, care va constitui baza tranzistorului.

http://www.tehnium –
azi.ro/images/articles/tranzistorul%20bipolar/Identificarea%20structurii%20tranzistorului%20bipolar.P
NG
Ce este un tranzistor ?
Este o componentă electronică a cărei rezistență electrică poate fi controlată cu ajutorul unui semnal
electric numit semnal de comandă . Cea mai importantă mențiune referitoare la această definiție este
faptul că tranzistorul ne permite să controlăm un curent electric mare cu ajutorul unui cantități foarte
mici de energie electrică. Din acest motiv, una din principalele aplicații ale tranzistorului este cea
de amplificator .
Echiva lentul mecanic al tranzistorului ar putea fi robinetul de gaz de la aragaz – cu ajutorul unui
semnal de comandă (forța mâinii tale) controlează cantitatea de gaz care iese pe ochiul respectiv și
implicit intensitatea flăcării.
Așa cum se observă și în figura 1, pentru a putea funcționa normal, tranzistorul are nevoie să fie
conectat simultan în două circuite și anume:
 un circuit de intrare – prin intermediul căruia tranzistorului i se aplică semnalul electric de comandă de
la o sursă de tensiune (pe care o voi prescurta S.C.In);
 un circuit de ieșire – prin care circulă curentul electric controlat prin intermediul tranzistorului. Acest
curent este generat de o altă sursă de tensiune (pe care o voi prescurta S.C.Out).

Figura 1. Circuitul de intrare și circuitul de ieșire al tranzistorului.
Notă : în figura 1 tranzistorul este simbolizat într -un mod simplificat, valabil doar în acea figură. Așa că
ai grijă să nu confunzi acel simbol cu simbolurile reale pe care le voi prezenta în subcapitolele
următoare.
Considerând schema din figura 1, tranzistorul se poate afla la un moment dat în una din următoarele
situații:
 tranzistor blocat . Fără semnal de comandă în circuitul de intrare, tranzistorul blochează complet
trecerea curentului prin circuitul de ieșire. Al fel spus, dacă nu bagi nimic la intrare, nu obții nici un
curent prin circuitul de ieșire. În acest caz, rezistența electrică dintre bornele de ieșire ale tranzistorului
este foarte mare (de cel puțin câteva sute de kΩ);
 tranzistor în regiunea activă . De îndată ce creștem puterea semnalului de comandă, tranzistorul se va
deschide puțin câte puțin permițând astfel trecerea curentului electric prin circuitul de ieșire. În acest
caz, intensitatea curentului de ieșire este dictată de puterea semnalului de coma ndă. Cu alte cuvinte, cu
cât semnalul de comandă este mai puternic, cu atât mai mare va fi și curentul din circuitul de ieșire;
 tranzistor saturat . Dacă vom crește în continuare puterea semnalului de comandă, vom observa că la un
moment dat valoarea curent ului din circuitul de ieșire nu mai crește. Acest fenomen apare atunci când,
în prezența unui semnal de intrare suficient de puternic, rezistența electrică dintre bornele de ieșire ale
tranzistorului scade până la 0.

UTILIZARE : Tranzistoarele pot fi folo site în echipamentele electronice cu componente discrete în
amplificatoare de semnal (în domeniul audio, video, radio), amplificatoare de instrumentatie,
oscilatoare, modulatoare si demodulatoare, filtre, surse de alimentare liniare sau în comutație sau
în circuite integrate , tehnologia de astăzi permițând integrarea într -o singură capsulă a milioane de
tranzistori.

Simbolurile folosite în prezent pentru tranzistori:

Tranzistor bipolar PNP


Fototranzistor NPN


Tranzistor unijoncțiune (TUJ)


Tranzistor JFET canal N


Tranzistor IGFET canal P


Tranzistor tetrodă IGFET canal N

While transistors have many uses, one of the less known uses by amateurs is the ability for bipolar
transistors to turn things on and off. While there are limitations as to what we can switch on and off,
transistor switches offer lower cost and substantial reliability over conventional mechanical relays. In
this article, we will revi ew the basic principles for transistor switches using common bipolar
transistors.

The most commonly used transistor switch is the PNP variety shown in Figure 1. The secret to
making a transistor switch work properly is to get the transistor in a satura tion state. For this to
happen we need to know the maximum load current for the device to be turned on and the minimum
HFE of the transistor. For example, if we have a load that requires 100MA of current and a transistor
with a minimum HFE of 100, we can t hen calculate the minimum base current required to saturate
the transistor as follows:

Minimum base current = 100 MA / 100
Minimum base current = 1 MA

In actual practice, it is best to calculate about 30%
more current than we will need to guarantee our
transistor switch is always saturated. In this case, we
will use 1.3 MA. We must also select our supply
voltage, so for this example we will use 12 volts. We
can now calculate resistor R1 in the circuit as follows:

Maximum Current Required = 100MA
Suppl y Voltage = 12 Volts

R1 = Supply Voltage / ( Maximum Current Required / Minimum HFE * 1.3 )
R1 = 12 / (.1 / 100 * 1.3)
R1 = 9230.7 or 10K for nearest standard value.

Resistor R2 is not essential to this circuit but is generally used for stability and to insure that the
transistor switch is completely turned off. This resistor insures that the base of the transistor does
not go slightly negative which would cause a very small amount of collector current to flow. The
value of this resistor is not cri tical but a value about 10 times R1 is normally chosen. For this circuit
we will calculate R2 to be 10 times R1 as follows:

R2 = 10 * 10000
R2 = 100K

To turn on our transistor switch all that is needed is to short resistor R1 to the negative ground.

While PNP transistors are normally used for a negative
ground configuration, it is possible use a NPN
transistor if a positive ground configuration is desired
as indicated in Figure 2. The calculation of resistor
values is identical to the PNP version. H owever, in the
NPN transistor, R1 must be shorted to the positive end
of the supply to turn the switch on.

While our transistor switch can easily replace many
mechanical relays, it does have a few drawbacks. The
maximum design current must not be exceeded or the
output voltage will be reduced. A short circuit of the
output will overheat and destroy the transistor in many
cases. Although the transistor is in saturation when
turned on, about .3 volts is lost through the collector to
the emitter of the transi stor. We must also insure that
the maximum power dissipation of the transistor is not
exceeded. We can calculate the power dissipation by
multiplying the current by .3 volts. In the case of 100
MA, the transistor must be able to withstand 30
milliwatts (.3 times .1).
Transistor switches are used for a wide variety of
applications. Many amateurs will notice that the circuit
in Figure 1 is used as the PTT in many transmitter
circuits. Transistor switches are commonly used to turn
on transmitter circuit s, LED’s, cooling fans and even
relays. However, when using a transistor to turn on a
relay coil, it is very important to use a 1N4001 diode
reversed biased in parallel with the relay coil as in
Figure 3. This is to prevent the kickback voltage in the
reverse polarity from destroying the transistor. This
reverse voltage occurs momentarily when the normal
current stops flowing through the coil. It is good
practice to always use a diode when turning on any
inductive load. Transistor switches are often used to
take the low -level output from logic circuits to turn on
or turn off a particular device.

The actual transistor used as a switch is not critical in these applications. Virtually any general
purpose NPN or PNP transistor can be used as a switch. Al l that is needed is to know the minimum
HFE and the power dissipation of the transistor. While most all transistors in a TO -92 case will have
HFE’s of at least 100, many power transistors in TO -220 cases often have an HFE no greater than
25. It is essentia l to know the HFE or Beta of a transistor, so that we can have a large enough base
current to achieve saturation. If a power transistor is used to turn on a high current device, it may be
necessary to use another lower current transistor switch to drive a transistor switch used in a high
current application. This is especially important when using a low current logic output from a CMOS
IC.

While there are a few applications where our transistor switches may not be suitable, it is usually a
much more reliab le and inexpensive alternative to using mechanical relays. These circuits are low
in cost and offer ease of design for the radio amateur.

CLASIFICARE :
Tranzistoare
Cu efect de câmp (TEC) Bipolare (TB)
TECMOS TEC -J

Cu canal indus Cu canal inițial

canal n canal p canal n canal p canal n canal p npn pnp
Tranzistoare de mică putere [modificare | modificare sursă ]
Aceste tranzistoare sunt încapsulate în plastic sau metal și nu sunt destinate montării pe radi ator.
Tranzistoare de putere [modificare | modificare sursă ]
Aceste tranzistoare sunt încapsulate în plastic sau metal și sunt destinate montării pe radiator.
Tranzistoare de joasă frecvență [modificare | modificare sursă ]
Sunt tranzistoare destinate utilizării până la frecvența de circa 100kHz, în circuite audio și de control al
puterii.

Tranzistoare de înaltă frecvență [modificare | modificare sursă ]
Sunt tranzistoare destinate aplicațiilor la frecvențe peste 100kHz, cum este domeniul radi o –TV,
circuite de microunde, circuite de comutație etc.
Tranzistorul bipolar ‒ principiul de funcționare [modificare | modificare sursă ]

În funcționare normală joncțiunea emitor –bază este polarizată direct, iar joncțiunea colector –bază este
polarizată invers.
 Joncțiunea emitor –bază, fiind polarizată direct, este parcursă de un curent direct(curent de difuzie) IE,
mare în raport cu curentul invers (rezidual) și, într -o plajă largă de curenți, UEB  const, cu valori
tipice de 0,6 – 0,7 V (Si) sau 0,2 -0,3V (Ge).
 Joncțiunea colector –bază, fiind polarizată invers, este caracterizată de un curent propriu, invers, foarte
mic, de ordinul nanoamperilor pentru tranzistoarele de silic iu și de ordinul microamperilor pentru
tranzistoarele de germaniu.
Caracteristică tranzistorului este cuplarea electrică a celor două joncțiuni. Pentru aceasta trebuie
satisfăcute două condiții:
 joncțiunea emitorului să fie puternic asimetrică, adică impur ificarea emitorului să fie mult mai
puternică decât cea a bazei.
 baza să fie foarte subțire, astfel încât fluxul de purtători majoritari din emitor să ajungă practic în
totalitate în regiunea de trecere a colectorului.
[1] [2]

Parametri specifici tranzistoarelor [modificare | modificare sursă ]
Cei mai importanți parametri ai unui tranzistor sunt:

Factorul de amplificare (βf)[modificare | modificare sursă ]
Temperatura maximă a joncțiunilor [modificare | modificare sursă ]
Valoarea temperaturii maxime a joncțiunilor până la care tranzistorul fu ncționează normal depinde de
natura semiconductorului folosit. Astfel, tranzistoarele realizate din siliciu funcționează corect până
spre 200 grade C, în timp ce cele realizate din germaniu sunt limitate în funcționare în jurul valorii de
100 grade C.
Obse rvație: La temperaturi mai mari decât cele menționate, are loc creșterea extraordinar de rapidă a
concentrației purtătorilor minoritari și semiconductorul se apropie de unul intrinsec, dispozitivul
pierzându -si proprietățile inițiale.
Puterea maximă disipa tă[modificare | modificare sursă ]
Puterea disipată de tranzistor apare datorită trecerii curentului prin dispozitiv. O parte din ace astă
putere este radiată în mediul ambiant și o parte produce încălzirea tranzistorului.
Puterea disipată de un tranzistor este , în principal, puterea disipată în cele două joncțiuni ale acestuia:
PDT = PDE + PDC = UEB.IE + UCB.IC.
Curentul de colector ma xim[modificare | modificare sursă ]
Reprezintă valoarea maximă pe care o poate atinge curentul de colector al unui tranzistor fără ca acesta
să se distrugă. El este indicat în cataloage și depinde de particularitățile tehnologice ale tranzistorului.
Tensiunea maximă admisă [modificare | modificare sursă ]
Reprezintă valoarea cea mai mare a tensiunii pe care o poate suporta un tranzistor fără ca acesta să se
deterioreze. Această valoare este limitată de tensiunea de străpungere a joncțiunii colector bază
(polarizată invers).
Acest parametru are valori diferite în funcție de conexiunea tranzistorului și este prezentat în foile de
catalog pentru fiecare situație în parte.

MATERIALE PIEZOELECTRICE : Piezoelectricitatea a fost descoperita în 1880, de catre fratii
Pierre si Jacques Curie. Termenul provine de la „piezen” (gr.) care înseamna a apasa, deoarece efectul
piezoelectric direct presupune producerea electricitatii prin apasare.

Efectul piezoele ctric: Descoperirea efectului piezoelectric a fost precedata si chiar favorizata de efectul
piroelectric , cunoscut înca din secolul al -XVII -lea, la cristalul de turmalina. Efectul piroelectric se
manifesta la 10 clase de cristale care – din cauza modului a simetric în care sunt distribuite sarcinile
electrice – prezinta fenomenul de polarizare spontana . Într -o atmosfera normala, polarizarea spontana
trece neobservata, deoarece mediul ambiant contine suficienti ioni liberi ce neutralizeaza sarcinile
superfici ale. Odata cu cresterea temperaturii, ionii liberi neutralizatori, din atmosfera, sunt îndepartati si
cristalul „pare” sa se fi încarcat electric, în timpul încalzirii.
Piezoelectricitatea apare numai în anumite materiale izolatoare si se manif esta prin aparitia
sarcinilor electrice pe suprafetele unui monocristal care este deformat mecanic , ca în fig.3.1.
Prin aplicarea tensiunii mecanice , se produce o separare a centrelor de greutate a sarcinilor electrice ,
negative si pozitive, ceea ce da na stere

unui dipol electric , caracterizat printr -un moment electric dipolar.
Deci efectul piezoelectric direct consta din producerea curentului electric prin deformare si este
determinat de distribuirea asimetrica a sarcinilor electrice (nu exista centru de
simetrie). Tensiuneaelectrica, generata prin efect piezoelectric direct, este direct
proportionala cu tensiunea mecanica aplicata si reciproc (în cazul efectului piezoelectric invers).

MATERIALE FEROELECTRICE : http://www.scritub.com/tehnica -mecanica/MATERIALE –
FEROELECTRICE1291654.php
http://www.qreferat.com/referate/c onstructii/Materiale -feroelectrice437.php

https://biblioteca.regielive.ro/laboratoare/electronica/materiale -pt-electronica -platfor me-laborator –
811.html
Materialele cu polarizare spontana sunt materiale care se caracterizeaza prin existenta unui
moment electric nenul al unitatii de volum in absenta unui camp electric exterior. Celula
elementara a unui asemenea material prezinta moment dipolar spontan printr -unul din
urmatoarele mecanisme:
– polarizarea de deplasare a electronilor atomici;
– polarizarea de deplasare a ionilor celulei elementare.
Vectorul polarizatie spontana se caracterizeaza prin simetria limita de tip m care
contine urmatoarele elemente de simetrie:
– o axa de rotatie de ordinul  care contine dreapta suport a vectorului
– o infinitate de plane de oglindire care contin aceasta dreapta.
Pentru ca într -un material sa ex iste polarizatie spontana este necesar ca
simetria structurala a materialului sa constituie, conform principiului lui Neumann, un
subgrup al clasei de simetrie limita m; din cele 32 de clase de simetrie cristalina
existente în natura, numai 10 îndeplinesc aceasta conditie si
anume: 1, 2, 3, 4, 6, m, mm, 3m, 4mm, 6mm.
Starea feroelectrica reprezinta o stare de ordine a materiei, rezultata spontan
din tendinta catre stabilitate care corespunde unui minim al energiei libere totale a
materialului. Di n acest motiv temperatura influenteaza starea de polarizatie spontana
prin efectul perturbator. În consecinta exista o temperatura limita, numita
temperatura Curie T C, la care agitatia termica distruge starea de ordine dielectrica,
materialul pierzând pola rizarea sa spontana.
Dupa modul în care are loc tranzitia de faza la temperatura Curie
TC materialele feroelectrice se împart în doua categorii:

– materiale cu tranzitie de faza de ordinul I caracterizate prin anularea cu salt a
polarizat iei spontane la T C (Figura 1a);
– materiale cu tranzitie de faza de ordinul II caracterizate prin scaderea monotona si
continua a polarizatiei spontane la T C (Figura 1b).
Structura materialelor feroelectrice poate fi monocristalina sau
policristalina. Indiferent de structura cristalina se constata ca în
aceste materiale ordinea dielectrica spontana se caracterizeaza prin
formarea de domenii dielectrice în interiorul carora momentele
electrice ale celulelor elementare sunt orientate în acee asi directie si
sens, dar diferite domenii pot avea orientari diferite. Drept rezultat
polarizatia macroscopica prezentata de material este în general mai
mica decât valoarea corespunzatoare orientarii homoparalel a tuturor
momentelor dipolare elementare, putând fi si nula.
Principalele caracteristici ale materialelor feroelectrice sunt
dependenta de tip histerezis a inductiei electrice de intensitatea
câmpului electric aplicat si dependenta permitivitatii complexe relative
de intensitatea câmpului electric , de frecventa si temperatura.
Materialele feroelectrice care prezinta la nivel macroscopic
polarizatie remanenta nenula se caracterizeaza prin efect piezoelectric
direct si invers, care consta în interactiunea dintre marimile electrice
(intensit atea câmpului electric si inductia electrica ) si marimile
mecanice (tensiunea mecanica si deformatia mecanica relativa ).
În domeniul liniar, de semnal mic, în regim armonic (când marimile
cauza mecanice si electrice variaza sinusoidal în timp) efectul

piezoelectric poate fi descris cantitativ prin urmatorul sistem de
ecuatii:
[D]=0[T][E]+[d][ T]
(1)
[S]=[d t][E]+[sE][T]
unde
[E] este reprezentarea în complex simplificat a vectorului câmp
electric;
[T] – reprezentarea în complex simplificat a tensorului tensiune
mecanica;
[D] – reprezentarea în complex simplificat a vectorului inductie
electrica;
[S] – reprezentarea în complex simplificat a tensorului deformatie
elastica.
Factorii de proportionalitate sunt parametri de material.

PARAMETRII

Cei mai importanți parametri ai unui tranzistor sunt:

Factorul de amplificare (βf)[modificare | modificare sursă ]
Temperatura maximă a joncțiunilor [modificare | modificare sursă ]
Valoarea temperaturii maxime a joncțiunilor până la care tranzistorul funcționează norma l depinde de
natura semiconductorului folosit. Astfel, tranzistoarele realizate din siliciu funcționează corect până spre
200 grade C, în timp ce cele realizate din germaniu sunt limitate în funcționare în jurul valorii de 100 grade
C.
Observație: La tempe raturi mai mari decât cele menționate, are loc creșterea extraordinar de rapidă a concentrației purtătorilor minoritari și
semiconductorul se apropie de unul intrinsec, dispozitivul pierzându -si proprietățile inițiale.
Puterea maximă disipată [modificare | modificare sursă ]
Puterea disipată de tranzistor apare datorită trecerii curentului prin dispozitiv. O parte din această putere
este radiată în mediul ambiant și o parte produce încălzirea tranzistorului.
Puterea disipată de u n tranzistor este , în principal, puterea disipată în cele două joncțiuni ale acestuia:
PDT = PDE + PDC = UEB.IE + UCB.IC.

CURENTUL DE COLECTOR MAXIM
Reprezintă valoarea maximă pe care o poate atinge curentul de colector al unui tranzistor fără ca acesta să
se distrugă. El este indicat în cataloage și depinde de particularitățile tehnologice ale tranzistorului.

TENSIUNEA MAXIM ADMISA
Reprezintă valoarea cea mai mare a tensiunii pe care o poate suporta un tranzistor fără ca acesta să se
deterioreze. Acea stă valoare este limitată de tensiunea de străpungere a joncțiunii colector bază
(polarizată invers).
Acest parametru are valori diferite în funcție de conexiunea tranzistorului și este prezentat în foile de
catalog pentru fiecare situație în parte.