Sistem de Alimentare Autonoma a Modulelor Gprs la Panourile Fotovoltaice

Agronomie

Sistem de Alimentare Autonoma a Modulelor Gprs la Panourile Fotovoltaice

Byadmin ianuarie 1, 2024

Anexa 1

Microcontrolerul PIC16F887

Capsula utilizată: TQFP

Anexa 2

Tranzistorul de putere IRF530

Acest tip de tranzistor este utilizat în prezent în mai multe aplicații datorită puterii disipate de doar 50 W.. Bazat pe un sistem de comutare rapidă ajunge să opereze la temperaturi de până la C, asigurând totodată normele de protecție a mediului prin încadrarea în standardul RoHS 2002/95/EC.

Tranzistorul MOSFET IRF530 de tip n [14]

Parametrii de funcționare [14]

Caracteristici de transfer Aria maximă de acoperire

Reprezentarea maximă a curentului prin drenă în funcție de temperatură

Anexa 3

Driverul IR2010

Cu o tensiune de offset, , atingând valoarea maximă de 200 volți, cu o tensiune de ieșire de 10-20 volți și un curent care atinge valoarea de 3.0 Amperi driverul IR2010 reprezintă atât un tranzistor MOSFET de mare putere și tensiune , dar și un ideal driver de tip IGBT. Făcând referire la nivelul intrărilor cat și al ieșirilor se observă că intrările sunt compatibile cu standardele de tip CMOS, LSTTL, iar intrările au structura unui buffer de curent special creat pentru o conducție cât mai bună.

Conexiuni specifice driverului IR2010

Parametrii de funcționare ai driverului IR2010

Principiul de comutare a circuitului de test

Bibliografie

[1] Maghiar, Teodor și Bondor ,Károly. [NUME_REDACTAT] de Energie. : [NUME_REDACTAT] din ,2007

[2] Trip, Nistor, Daniel și Șchiop, Adrian .[NUME_REDACTAT] de [NUME_REDACTAT].Oradea: [NUME_REDACTAT] din Oradea, 2008

{nik}[3] Ahmed M. A. [NUME_REDACTAT] si Tutore: Dr. Antonio de la V. Jaen. [NUME_REDACTAT] [NUME_REDACTAT] in [NUME_REDACTAT]. [NUME_REDACTAT] Sistemas de [NUME_REDACTAT], Universidad de Sevilla, Spain.

{nik}[4] Brahim,Ghiribi; Luigi,Logrippo. Understanding GPRS: the GSM packet radio service; [NUME_REDACTAT] [NUME_REDACTAT] Group, School of [NUME_REDACTAT] and Engineering, University of Ottawa, Ottawa, Canada K1N 6N5; 2000

{nik}[5] Burri, Ankaiah si [NUME_REDACTAT]. Enhancement of [NUME_REDACTAT] Cell by [NUME_REDACTAT]-[NUME_REDACTAT] [NUME_REDACTAT]. [NUME_REDACTAT] of [NUME_REDACTAT] Invention. Vol.2. Februarie 2013

{nik}[6] C,Liu, B,Wu și R,Cheung. [NUME_REDACTAT] [NUME_REDACTAT] [NUME_REDACTAT] [NUME_REDACTAT].Departament of Electrical & [NUME_REDACTAT], [NUME_REDACTAT], Toronto, Ontario, Canada. 2004

{6}[7] Freeman, Dave; Introduction to [NUME_REDACTAT] [NUME_REDACTAT] [NUME_REDACTAT]; [NUME_REDACTAT], SLVA446, 11.2010, page 4-5.

{nik}[8] International IOR Rectifier. High and [NUME_REDACTAT] Driver. [NUME_REDACTAT]. PD60195-C

{7}[9] Koutroulis, Eftichios; Kalaitzakis, Kostas; Voulgaris, C. Nicholas; Development of a Microcontroller- Based, [NUME_REDACTAT] [NUME_REDACTAT] [NUME_REDACTAT] System; IEEE Transactions on [NUME_REDACTAT]; Vol. 16, No. 1; 01.2001

{4}[10] [NUME_REDACTAT] Inc. PIC16F882/883/884/886/887 Datasheet 28/40/44-Pin, [NUME_REDACTAT]-Based 8-Bit CMOS Microcontrollers with nanoWatt Technology, 2007

{5}[11] Morales, David.S; [NUME_REDACTAT] [NUME_REDACTAT] Altghoritms for [NUME_REDACTAT]; Faculty of Electronics, Communications and Automation, 14.12.2010, page 8, page 8-11.

{nik}[12] [NUME_REDACTAT]. Mtx-65+G-V3 Terminal, [NUME_REDACTAT] & [NUME_REDACTAT]. [NUME_REDACTAT]. Octombrie 2008

{nik}[13] Suntech. STP-005S-12/[NUME_REDACTAT] Efficiency, [NUME_REDACTAT], PV Module. December 2007

{nik}[14] [NUME_REDACTAT]. [NUME_REDACTAT], IRF530, SiHF530, datasheet

[15] [NUME_REDACTAT], ZXCT1021, [NUME_REDACTAT] [NUME_REDACTAT] Monitor, datasheet

{9}[16] http://altiusfotovoltaic.ro/fabricarea-panourilor-fotovoltaice (consultat la data de 04.04.2014)

{nik}[17] http://en.wikipedia.org/wiki/CMOS

{nik}[18] http://en.wikipedia.org/wiki/MOSFET

{11}[19]http://ro.farnell.com/multicomp/mc-sp0-8-nf-gcs/solar-panel-0-8w-4v-no-frame/dp/1852494 (04.04.2014)

{12}[20] http://ro.wikipedia.org/wiki/Aplica%C8%9Bii_cu_panou_fotovoltaic

{10}[21] http://ro.wikipedia.org/wiki/Panou_solar (04.04.2014)

{8}[22] http://www.ecovolt.ro/ro/support/cell_solar_ro.html

[23] http://www.iscee.ugal.ro/MOSFET.pdf

7}[24] http://www.termo.utcluj.ro/regenerabile/5_1.pdf

Capitolul 1

[NUME_REDACTAT] perioada actuală, datorită creșterilor masive manifestate asupra prețului combustibililor se încearcă tot mai mult utilizarea resurselor regenerabile în mai toate domeniile care permit acest lucru. Așadar se remarcă prezența a trei mari categorii de resurse regenerabile și anume: eoliană, geotermală și solară.

În lucrarea de față se va prezenta o modalitate prin care, un modul GPRS, aflat într-o locație izolată poate fi alimentat cu ajutorul unui sistem de conversie a energiei solare în energie electrică.

Așadar odată cu evoluția sistemelor de transformare a energiei solare în energie electrică apar numeroase proiecte care pot încorpora în structura lor energia solară.

Un sistem regenerabil de energie solară este văzut în ansamblu ca un sistem de achiziții de date format dintr-un panou solar, sau un lanț întreg de astfel de panouri solare, (depinde de scopul utilizării ), un convertor electronic de putere , un sistem de comandă și control care reprezintă “serverul” acestui sistem controlează toate procesele desfășurate în structura unui sistem de achiziții de date.

Pentru conversia energiei solare în energie electrică se utilizează funcțiile procesoarelor digitale de semnal sau ale microcontrolerelor.

O schemă tipică a unui echipament de conversie a energiei solare, cu posibilitatea de conexiune la rețeaua de curent alternativ, este prezentată în figura 1.1:

Figura 1.1. Echipament de conversie a energiei solare [2]

O astfel de schemă este compusă, în ordinea ei de la stânga la dreapta, din următoarele componente:

panoul solar, format din celule solare; ajută la conversia radiațiilor luminoase în energie electrică;

convertorul DC/DC ajută la conversia energiei electrice primită de la panoul solar în energie capabilă de a fi captată de diverși acumulatori;

invertorul care este comandat de un sistem de comandă și control, prin intermediul PWM-ului ajută la conversia curentului continuu în curent alternativ;

filtrul are rolul de a reduce zgomotele produse de invertor.

În principiu un panou solar este format din mai multe straturi, primul este de fapt o sticlă de protecție plasată pe fața superioară a panoului, al 2-lea este un material incolor conceput din etil-vinil-acetat. Al 3-lea reprezintă chiar celulele mono sau policristaline. Pe suprafața interioară se aplică un strat din plastic rezistent la variațiile meteorologice. Un panou mai este dotat cu o priză de conectare, care conține o diodă de protecție.

În final ansamblul panoului este încapsulat într-o ramă specială de cele mai multe ori aluminiu, necesară pentru fixare, transport și protecție.

Convertorul reprezintă o sursă de comutație (BUCK, BOOST, BUCK-BOOST, FLY-BACK) care aproximează în permanență tensiunea și curentul produs de panoul solar. Convertorul lucrează continuu la frecvențe de zeci de kilohertzi.

Invertorul este de mai multe tipuri: punte, semipunte sau multinivel, este cel care ajută la conversia curentului continuu în alternativ, astfel încât tensiunea de la ieșirea lui să fie identică cu cea a rețelei pentru care o furnizează. Este comandat prin modulația impulsurilor în durată de către sistemul de comandă și control.

Sistemul de comandă și control este compus din microcontrolere și procesoare digitale de semnal. De asemenea el controlează și impedanța sarcinii.

Procesoarele digitale de semnal și microcontrolerele prin structura lor complexă reușesc să obțină mai multe semnale analogice în timp real.

***

În primul capitol se prezintă o scurtă introducere atât la nivelul sistemelor de achiziții de date cât și la nivelul panourilor fotovoltaice precum și beneficiile pe care acestea le aduc naturii.

În al doilea capitol este prezentată descrierea procesului fotovoltaic, a structurii celulelor solare precum și tipuri de celule solare, efectele temperaturii și radiației solare asupra caracteristicilor panourilor solare.

În al treilea capitol se prezintă resursele utilizate ale microcontrolerului PIC16F887; regiștrii de configurare ai microcontrolerului, modul de inițializare a convertorului analog-digital și a funcției PWM a modulului ECCP; precum și generalități legate de tranzistoarele MOSFET de putere, caracteristicile lor dinamice și statice.

Capitolul patru este dedicat unor metode de urmărire a punctului de putere maximă, printre care și cea implementată de către mine, adică cea a scurt-circuitării panoului fotovoltaic pentru determinarea valorii curentului de scurt-circuit pentru o radiație solară dată.

Capitolul cinci este dedicate sistemelor GPRS, adică: securitate, performanțe, servicii, dar și modulului MTX-65.

În ultimul capitol se descrie aplicația practică, realizată în cadrul laboratorului V214B, al Universității din Oradea. Sunt indicate componentele și valorile acestora, montarea lor pe placa de dezvoltare, precum și conexiunea cu placa TB01B5, placă realizată de către coordonatorul proiectului prof. [NUME_REDACTAT] Daniel.

Lucrarea de diplomă conține și o serie de anexe care include și aplicția software aferentă sistemului de alimentare autonomă al modulului GPRS MTX-65. Lucrarea se încheie cu o serie de concluzii legate de tema tratată în proiect.

Alegerea temei de față este importantă și de actualitate datorită creșterii numărului de aplicații ce necesită o autonomie ridicată privind alimentarea cu energie electrică

Capitolul 2

Procesul de obținere a energiei electrice din energia solară

2.1. Scurt istoric

Acest proces de obținere a energiei electrice sub acțiunea radiației solare, care poartă denumirea de efect fotovoltaic a fost descoperit în anul 1839 de fizicianul [NUME_REDACTAT] de origine franceză, conform [24].

Termenul fotovoltaic în sinea lui este constituit din două părți și anume: “photos “ care semnifică lumina și “volta” care provine de la numele fizicianului [NUME_REDACTAT], cel care a creat prima baterie din lume.

Componenta de bază a acestui tip de dispozitiv o reprezintă celula solară, format din diverși compuși chimici, majoritatea cazurilor Siliciu.

[NUME_REDACTAT] este primul satelit lansat în anul 1958 care utilizează acest tip de celule. Randamentul conversiei era de 10% , iar puterea furnizată de toate aceste celule solare era de 0.1 W.

2.2. Energia solară

Așa cum energia electrică este obținută cu ajutorul vântului, în cazul energiei eoliene, așa și în cazul energiei solare componenta esențială o reprezintă Soarele. În continuare se vor descrie aspecte referitoare la efectul fotovoltaic, structura unui panou solar, dar și tipuri de celule solare.

2.2.1. [NUME_REDACTAT] între Pământ și Soare: 1,496 * 108 [NUME_REDACTAT] totală: 1.9891 * 1030 [NUME_REDACTAT]: 5780 K

Diametru: 1.392*106 Km (109 ori mai mare ca Pământul)

Cercetările realizate dealungul timpului au demonstrat că Soarele a luat naștere acum 4.6 miliarde de ani, aflându-se în prezent în centrul evoluției sale. 4 miliarde de tone de componente rezultate din structura fizică a Soarelui sunt transformate în fiecare clipă prin procese fizice și chimice în energie solară totalizând o radiația solară cu egală cu 1353 W/ și o lungime de undă în momentul în care străpunge atmosfera. Principalul avantaj al energiei solare, așa cum am precizat în capitolele anterioare este acela că este regenerabilă și nu devine dăunătoare. 1.5 miliarde de MWh reprezintă “cadoul” ce Soarele ni-l oferă în fiecare an, prin intermediul energiei solare, rămâne la latitudinea noastră cum îl exploatăm pe tot?!

2.3. Efectele temperaturii și radiației solare aplicate panoului fotovoltaic

Temperatura respectiv radiația solară reprezintă doi parametrii vitali în buna funcționare a panoului solar.

Urmărind variația temperaturii în acest proces se observă că ea afecteaza în mod direct tensiunea,mai precis tensiunea de deschidere a circuitului exact ca în formula de mai jos, conform [11].

= (2.1)

În concordanță cu temperatura, tensiunea este invers proporțională cu aceasta, adică negativă, așadar când temperatura crește, tensiunea scade. O mică modificare se observă asupra valorii curentului; valoarea acestuia crește puțin o dată cu temperatura, dar nu influențează scăderea drastic a tensiunii.

În continuare se prezintă modificarea caracteristicilor tensiune-curent, figura 2.1 a), respectiv tensiune-putere, figura 2.1.b) , în funcție de temperatură.

Figura 2.1 a) Variația curentului în funcție de tensiune, la 3 temperaturi diferite [11]

Figura 2.1 b) Variația puterii în funcție de tensiune, la 3 temperaturi diferite [11]

Schimbarea caracteristicii tensiune-curent și tensiune-putere în funcție de factorul de radiere este prezentată în figura 2.2.a) respectiv 2.2. b).

Figura 2.2 a) Variația curentului în funcție de tensiune, la 3 nivele diferite ale gradului de radiere; temperatura este constant (25 C) [11]

Figura 2.2 b) Variația puterii în funcție de tensiune, la 3 nivele diferite ale gradului de radiere; temperatura este constant (25 C) [11]

Atât curentul foto-generat cât și cel de scurt-circuit este direct proporțional cu radiația. În momentul în care valoarea curentului de scurt-circuit nu este generată, pricipalul factor care intervine în definirea curentului este descris de ecuațiile de mai jos.

(2.2)

(2.3)

De altfel acesta este principalul scop pentru care caracteristica tensiune-curent se modifică parametric o dată cu radiația, iar tensiunea de deschidere a circuitului are o valoare logaritmică descrisă în ecuația (2.4).

(2.4)

2.4. Factorul de umplere

Factorul de umplere ([NUME_REDACTAT]) se poate defini ca și în formula de mai jos, conform [11] ,utilizând în ecuație patru parametrii și anume curentul , tensiunea , tensiunea la care se deschide circuitul , și curentul de scurtcircuit .

(2.5)

Valoarea în care acest factor de umplere se încadrează ar trebui să fie constantă și egală cu 0.70.

2.5. Efectul fotovoltaic

Principiul efectului fotovoltaic este cel mai bine descris prin intermediul unui semiconductor format din două zone: o zonă de tip p și o zonă de tip n. Joncțiunea de tip P-N astfel formată la limita de separație a celor două zone, p și n, și expusă timp îndelungat la lumina razelor solare va furniza suficientă energie încât să poată alimenta diverse aplicații, o stație meteo spre exemplu.

În urma ciocnirilor aceștia trec din banda de valență în banda de conducție și duc la apariția unor goluri în banda de conducție. Sub acțiunea lui E se va realiza deplasarea electronilor din banda de valență , de la regiunea de tip P la cea de tip N și deplasarea golurilor din banda de conducție de la regiunea N la cea de tip P.

Descrierea matematică a procesului:

se notează:

= lățimea zonei de separație dintre cele două regiuni (P și N);

=tensiunea formată în acestă zonă;

=intensitatea câmpului electric imprimat.

apare relația de legătură între parametrii indicați anterior:

(2.6)

Energia necesară unui electron pentru a străpunge stratul de baraj trebuie să îndeplinească condiția (2.7), conform [1]:

(2.7)

unde reprezintă sarcina electronului, care o dată cu pătrunderea în stratul p va forma o pereche de tip electron-gol; perechea electron-gol este condiționată de durata de viață; atât timp cât ea va fi mică, va conduce la formarea unui curent interior inutil, și atât timp cât va fi mare ea va conduce la apariția curentului fotolelectric intern.

Curentul electric intern se formează prin însumarea a doi curenți, curentul cedat de acceptorii regiunii “p”, , și unul cedat de donorii regiunii “n”,.

Relația de legătura între curenții descriși anterior este indicată în ecuația (2.8).

(2.8)

unde: U – tensiunea la bornele celulei fotoelectrice U=RI;

k – constanta lui Boltzmann (2.9)

T – temperatura absolută a celulei

Datorită expunerii continue la soare a celulei solare, într-o unitate de timp, va apărea curentul sursei pe care îl notăm cu și care conform [1] va avea următoarea formă descrisă în ecuația (2.10).

(2.10)

Relația (2.10) definește și structura convertorului fotoelectric descris prin figura 2.3.

Figura 2.3 Structura convertorului fotoelectric [1]

Convertorul fotoelectric are mai multe moduri de funcționare descrise în etapele de mai jos, conform [1] :

pentru funcționarea în gol:

relația de legătură între curentul sursei și curentul intern este descris în următoarea ecuație

(2.11)

ecuația (2.12) descrie legătura dintre curentul intern și curentul

(2.12)

tensiunea termică a convertorului fotoelectric produsă ulterior este dată în ecuația (2.13)

(2.13)

pentru funcționarea în scurtcircuit:

puterea maximă debitată se deduce din formula și reprezentată în ecuația (2.13)

(2.13)

randamentul convertorului fotoelectric este stabilit prin ecuația (2.14) , valorile optime ale acestui randament fiind cuprinse între 0.07 și 0.14

(2.14)

2.6. Celula solară

Celula solară constituie o componentă fundamentală a unui panou fotovoltaic, constituită în majoritatea cazurilor din Siliciu, ea este formată în mod obligatoriu dintr-o joncțiune de tip P-N. Joncțiunea P-N depinde de doi parametri fundamentali și anume dimensiunea și grosimea acesteia; pe măsura ce dimensiunea celulei crește și randamentul conversiei va fi mare; pe măsură ce grosimea va fi mică și lumina va putea pătrunde mult mai ușor în interiorul celulei solare.

Figura 2.4 Straturile componente ale unei celule solare [2]

Panoul solar este compus din două straturi: unul transparent și altul protector.
[NUME_REDACTAT] de Cobalt pe care îl are în compoziție, stratul exterior preia lumina solară și o reflectă mai departe, o cantitate semnificativă ajungând și la celula solară. Stratul de protecție este poziționat deasupra celulelor solare având în mare parte rolul de protecție a panoului solar împotriva intemperiilor (precipitații, îngheț, ș.a.m.d)

Între fiecare strat, cel de protecție, cel care conține joncțiunea p-n și cel absorbant se găsește un suport metalic care are rolul de a prelua curentul cedat de purtătorii de sarcină. Tensiunea generată de un panou fotovoltaic, cu terminalele în gol este de 0.6 V iar curentul are o valoare de ordinul miliamperilor sau a zecilor de miliamperi.[2]

În figura 2.5 se prezintă descrierea modelului ideal al unei fotocelule:

Figura 2.5 Modelul ideal al unei celule solare [2]

În figura 2.5 se notează cu curentul produs de radiația solară; D este o diodă care face parte din ansamblul fotocelulei; iar tensiunea respectiv curentul în diode D sunt notate în figura de mai sus cu respectiv . Totodată circuitul de mai sus utilizează două rezistențe una pentru diminuarea valorii tensiunii anodice, , și a doua pentru contactele de tip metal-conductor, . reprezintă rezistența de sarcină, tensiunea de sarcină și curentul de sarcină.

Tensiunea de funcționare în gol a celulei precum și valoarea curentului de scurtcircuit respect următoarea formulă, conform [2].

(2.15)

Calculul valoarea curentului de scurtcircuit este indicat în următoarea ecuație:

(2.16)

În aplicațiile practice se preferă utilizarea unor modele simplificate ale modelului ideal al unei celule solare, o variantă fiind prezentată în cele ce urmează.

Figura 2.6 Modelul simplificat al unei celule solare [2]

Se obține din figura 2.6 curentul de sarcină reprezentat în ecuația de mai jos.

(2.17)

Puterea obținută de o celulă solară în urma interacțiunii cu intensitatea luminoasă are următoarea relație de calcul:

+ (2.18)

În urma prelucrării prin derivare a acestei formule se obține pentru un punct notat M, de tensiune și curent valoarea puterii maxime. Rezultă ecuația finală reprezentată în ecuația (2.19) :

(2.19)

Tipuri de celule solare utilizate în aplicațiile practice

2.7. Panoul solar fotovoltaic

Fabricarea panourilor fotovoltaice a cunoscut mai multe etape, în primă etapă se descoperă caracteristicile efectului fotovoltaic de fizicianul [NUME_REDACTAT]; ulterior în jurul anilor 1883 [NUME_REDACTAT] descoperă prima celulă solară, cu o eficiență de 1%. Explozia domeniului de studiu asupra construcției de celule solare se realizează în 1954 când la [NUME_REDACTAT] se demonstrează că, conductorii de siliciu sunt sensibili la lumină, axiomă care în anul 1958 duce la apariția primului panou fotovoltaic, creat de [NUME_REDACTAT].

Dezvoltarea panourilor fotovoltaice duce la împărțirea acestora în două domenii de activitate importante și anume:

panouri solare termice

panouri solare fotovoltaice

2.7.1. Componentele unui panou solar fotovoltaic

Din structura unui panou fotovoltaic fac parte geamul securizat, care oferă protecție împotriva intemperiilor și peste care se aplică stratul de etil-vinil-acetat; celulele solare, interconectate între ele, în funcție de caz: mono sau policristaline; o folie tratată chimic rezistentă și ea la intemperii; o priză de conectare care oferă prin intermediul diodei protecție la scurtcircuit, priză la care se vor lega și celulele solare.

Întreg ansamblu realizat este tratat apoi chimic în vacuum la o temperatură de 150 C, fapt ce va duce la apariția unei structuri bine ancorate. În cele din urmă se montează structura într-o ramă de încasetare care oferă fiabilitate la montaj și transport.

Figura 2.12. Model de panou solar distribuit de [NUME_REDACTAT] [19]

Capitolul 3

Prezentare componentelor primordiale pentru aplicația practică

3.1. Generalități ale microcontrolerului PIC16F887

Conform datelor de catalog oferite de firma producătoare ,[NUME_REDACTAT] , acest tip de microcontroler conceput în tehnologie de tip nanowatt dispune de mai multe resurse și avantaje o parte din ele fiind prezentate în continuare:

resurse:

pini de intrare/ieșire în număr de 24/35;

două comparatoare analogice încapsulate în unul singur;

un convertor analog/digital;

două temporizatoare : Timer0, Timer2;

un modul PWM ([NUME_REDACTAT] Modulation);

un modul de tip USART;

un oscilator intern de precizie, care permite modificarea valorii frecvenței, în intervalul 8 MHz – 31 KHz;

avantaje:

durata de viață ridicată a memoriei de tip Flash/ EEPROM (100.000 de scrieri a memoriei de tip Flash și până la 1.000.000 de scrieri a memoriei de tip EEPROM);

consum redus de curent în modul standby : 50nA, 2.0V;

consum acceptat de curent în modul de lucru al PIC-ului 16F887:

11 µA, 2.0 V la o frecvență de lucru de 32 KHz;

220 µA, 2.0 V la o frecvență de lucru de 4 MHz;

consum mic de curent al Watchdog-ului (‘ceasul de gardă’): 1 µA, 2.0 V;

În cele urmează sunt descrise structurile regiștrilor utilizați pentru capsula TQFP (vezi anexa 1) a microcontrolerului utilizat.

3.2. Regiștrii de intrare/ieșire

3.2.1. Registrul PORTA

Tabel 3.1. Structura registrului PORTA [10]

Registrul PORTA este structurat pe 8 biți, este un registru de tip bidirecțional în care comenzile pot fi transmise în ambele sennsuri. Setarea registrului în “1” logic impune ca pinii registrului să fie setați ca și pini de intrare, iar setarea în “0” logic determină ca pinii registrului să fie devină pini de ieșire. De remarcat faptul că toți biții registrului pot fi atât citiți (Readable) cât și înscriși (Write).

3.2.2. Registrul TRISA

Tabel 3.2. Structura registrului TRISA [10]

Registrul TRISA controlează pinii registrului PORTA atunci când acesta este setat ca pin de intrare analogică. Pinii de intrare sunt setați ca pini de intrare analogică utilizând registrul ANSEL. Setarea bițiilor registrului TRISA în “1” logic determină ca pinii registrului PORTA să fie configurați ca și pini de intrare, implicit setarea în “0” logic face ca pinii să devină pini de ieșire. Se observă și aici ca toți cei 8 biți pot fi atât citiți cât și înscriși.

3.2.2.1. Registrul ANSEL

Tabel 3.3. Structura registrului ANSEL [10]

Registrul ANSEL este registrul utilizat pentru definirea pinilor de intrare/ieșire ca pini de intrare analogică. Setarea acestor biți în “1” logic impune un mod de funcționare analogică , însă setarea în “0” logic, adică setarea implicită, determină ca pinii de intrare/ieșire să fie definiți ca pini de intrare digitală.

3.3. Registrul OSSCON

Tabel 3.4. Structura registrului OSSCON [10]

[NUME_REDACTAT] controlează ceasul de sistem și permit totodată modificarea lui. De la dreapta la stânga se remarcă următorii biți: setarea ceasului de sistem se realizează cu bitul SCS, adică bitul0; bitul 1, LTS, bitul necesar impunerii frecvențelor joase; bitul 2 , HTS, bitul necesar impunerii frecvențelor ridicate; sincronizarea cu frecvența oscilatorului intern sau a unui ceas extern se realizează prin bitul OSTS; conform foilor de catalog [10] cu ajutorul biților 4,5,6, IRCF0,IRCF1,IRCF2, este setată frecvența oscilatorului intern. Setarea biților în 111 logic stabilește o frecvență de 8 MHz, setarea în 110 logic o frecvență de 4 MHz, adică cea implicită, 101 la 2 MHz, 100 la 1 MHz, 011 la 500 KHz, 010 la 250 KHz, 001 la 125 KHz și setarea în 000 logic stabilește frecvența de 31 KHz.

3.4. Registrul STATUS

[NUME_REDACTAT] poate reprezenta destinația unei instrucțiuni, ca de altfel oricare alt registru. [NUME_REDACTAT] deține statutul matematic al operațiilor logice și aritmetice, în plus deține și statutul de reset precum și bancul de selectare a biților de memorie. Scrierea la nivelul biților 4 (TO) și 3 (PD) nu este permisă.

Structura registrului Status este prezentată în tabelul 3.5:

Tabel 3.5. Structura registrului Status [10]

3.5. Portul EUSART ([NUME_REDACTAT] [NUME_REDACTAT] [NUME_REDACTAT])

Dezvoltat în mare parte pentru transmiterea / recepția de informații, portul EUSART este special conceput astfel încât să poată îndeplini funcțiile unui modul full-duplex asincron sau a unuia de tip half-duplex asincron. Portul EUSART deține controlul ceasurilor din sistem, a generatoarelor de date astfel încât poate întreprinde toate transmisiunile/recepțiile de informație singur sau cu ajutorul unei structuri de program.

Transmisia/recepția în modul asincron full-duplex, polaritatea programabilă a ceasului în modul sincron, detectarea adresei în modul de funcționare de 9 biți constituie doar câteva din avantajele portului EUSART.

3.5.1. Modul de transmisie asincronă pe 8 biți

Modul de transmisie asincronă pe 8 biți se bazează pe tehnica non-return-zero (NRZ), tehnică în care fiecare caracter transmis este format dintr-un bit de start,cei 8 biți (9 în unele cazuri în funcție de preferințe) care reprezintă dimensiunea caracterului și un bit de stop. Adesea bitul de start este reprezentat ca și spațiu, iar bitul de stop este reprezentat printr-un simbol. Portul EUSART transmite întâi bitul cel mai puțin semnificativ (LSB), transmisia și recepția informației realizându-se independent.

3.5.1.1. Transmițătorul asincron al portului EUSART

Centrul de comandă al portului EUSART îl constituie registrul TSR ([NUME_REDACTAT] Register), registru care nu poate fi accesat prin intermediul unui program. Registrul TXREG devine intermediarul între registrului TSR și utilizator.

activarea transmițătorului

pentru activarea transmițătorului se realizează setarea a trei biți și anume: TXEN=1; SYNC=0; SPEN=1;

se setează bitul TXEN a registrului TXSTA activând astfel circuitul transmițător al portului EUSART;

ștergerea informației din bitul SYNC al registrul TXSTA duce la implementarea modului de lucru asincron al portului EUSART;

setarea bitului SPEN al registrului RCSTA duce la activarea portului EUSART și la configurarea automată a pinilor TX/CK I/O ca și pini de ieșire.

transmiterea caracterelor se realizează cu ajutorul registrului TXREG, dacă registrul TSR este gol atunci informația este transmisă direct, însă dacă registrul TSR conține încă caractere anterioare atunci informația este păstrată în registrul TXREG până când este transmis bitul de stop al caracterului anterior.

transmiterea impulsurilor de întrerupere

transmiterea întreruperilor se realizează cu ajutorul bitului TXIF al registrului PIR1, aceasta opțiune se activează automat atunci când modul de transmitere a informației portului EUSART este activat și nici un caracter de transmis nu se află în registrul TXREG;

activarea manuală a transmiterii impulsurilor de întrerupere se face din registrul PIE1 setând bitul TXIE; în consecință bitul poate fi setat atunci când registrul TXREG este gol;

folosind această tehnică care poate fi impusă prin setarea bitului TXIE, o cantitate importantă de informații este transmisă.

registrul TSR

funcția registrului TSR este indicată de bitul TRMT al registrului TXSTA; acest bit nu poate suferi modificări deoarece este protejat fiind destinat doar citirii;

setarea bitului TRMT se realizează doar în momentul în care registrul TSR este gol, adică după transferul caracterelor în registrul TXREG din registrul TSR;

bitul TRMT rămâne setat până când toate caracterele sunt transferate din registrul TSR.

pași necesari pentru setarea modului de transmisie asincronă

se inițializează regiștrii SPBRGH, SPBRG și biții BRGH, BRG cu rata generatorului portului EUSART;

se setează portul serial pentru transmisie asincronă prin ștergerea bitului SYNC și setarea bitului SPEN;

se activează transmisia setând bitul de control TXEN, principiu care va determina și setarea bitului TXIF ca bit de întrerupere.

dacă se preferă folosirea întreruperilor se validează bitul TXIE ca bit activ;

se încarcă registrul TXREG cu datele pe 8 biți de transmis, lucru care va determina startul transmisiei.

3.6. [NUME_REDACTAT]/ Digital

3.6.1. Prezentare generală

Convertorul analog/digital este dispozitivul ce realizează conversia semnalului de intrare analogică, într-un semnal binar reprezentat pe 10 biți. Un convertor este format din două tipuri de pini și anume: pinii de intrare spre care este transmis semnalul analogic, și pinii de ieșire cu ajutorul cărora semnalul binar obținut este transmis mai departe. Rezultatul pe 10 biți în doi regiștri ADRESL și ADRESH. Implementarea tensiunii de referință se realizează prin specificarea valorii dorite la intrarea pinului corespunzător.

3.6.2. Configurarea convertorului analog/digital

În configurarea acestui convertor trebuie avute în vedere următoarele aspecte, care luate în ordinea lor duc la realizarea unei configurări perfecte:

setarea porturilor :

configurarea pinilor AN<0:13> ca pini de intrare de semnal analogic;

setarea modulului de lucru al convertorului A/D:

selectarea frecvenței de conversie;

setarea tensiunii de referință;

setarea canalului de intrare;

selectarea formatului conversiei;

introducerea unei întreruperi pentru a putea fi achiziționat semnalul;

validarea funcționării modului A/D;

validarea conversiei prin intermediul bitului Go/Done:

achiziția unui semnal și verificarea bitului Go/Done

verificarea rezultatului , precum și stocarea acestuia în cei doi regiștri;

ștergerea bitului care indică o întrerupere

3.6.2.1. Regiștrii intermediari

3.6.2.1.1. Registrul ADCON0

Registrul ADCON0 este prezentat în tabelul de mai jos si descris in cele ce urmează.

Tabel 3.6. Structura registrului ADCON0 [10]

În structura registrului descris în tabelul 3.6 se remarcă următorii biți, în ordinea lor de la dreapta la stânga și anume bitul ADON folosit pentru punerea în funcțiune a convertorului; acest bit are două valori logice “1” care validează startul conversiei și “0 ” . Bitul GO/DONE are de asemenea două valori logice și anume “1” indică o conversie activă și “0” . Definirea stărilor analogice și a frecvenței de conversie se realizează cu biții CHS0,CHS1,CH2,CHS3 respectiv ADCS0.

3.6.2.1.2. Registrul ADCON1

Tabel 3.7. Structura registrului ADCON1 [10]

Din tabelul 3.7. de la dreapta la stanga se identifică 4 biți nedefiniți (Bitul 0 – Bitul 3); bitul 4 și bitul 5 (VCFG0, VCFG1) reprezintă biții care indică tensiunea de referință; bitul 6 este și el un bit nedefinit; pentru alinierea formatului conversiei se utilizează bitul ADFM, setarea în “1” logic implementeză o aliniere la dreapta, iar “0” logic o aliniere la stânga.

Biții 4, 5, 7 sunt biți care pot fi atât citiți cât înscriși.

3.7. Funcția PWM

3.7.1. [NUME_REDACTAT]

Funcția PWM face parte dintr-un întreg modul disponibil în acest tip microcontroler și anume: ”Capture/Compare/PWM”, fiecare cu o altă utilizare. Prima funcție, Capture, oferă clientului controlul diferitelor evenimente. [NUME_REDACTAT] oferă posibilitatea de a genera un eveniment după o perioadă de timp stabilită. Generarea unui puls modulat în durată și modificat în funcție de frecvență și perioadă este realizată cu funcția PWM.

Figura 3.1. Implementarea funcției PWM

3.7.2. Configurarea funcției PWM

Pentru inițializarea funcției PWM se vor respecta următorii pași:

se dezactivează pinii PWM (CCPx) din starea de pini de ieșire;

se încarcă registrul PR2 cu perioada semnalului PWM care va fi generat;

se configurează modulul CCP încărcând regiștrii CCPxCON cu valoarea “11xx” necesară inițializării modului PWM;

se setează regiștrii CCPRxL și DCxB <1:0> ai registrului CCPxCON, cu perioada semnalului PWM generat;

se realizează configurarea temporizatorului Timer2;

ștergeți din bitul TMR2IF ai registrului PIR1, întreruperile;

încărcați bitul T2CKPS din registrul T2CON cu valoarea prescalerului;

porniți Timer2 cu ajutorul bitului TMR2ON din registrul T2CON;

se validează startul funcției PWM, se setează pinul CCPx ca pin de ieșire; ulterior va fi generat semnalul PWM.

3.8. Tranzistoare MOSFET de putere. IRF530.

Odată cu evoluția treptată a electronicii a fost necesară înlocuirea componentelor existente pe piață în acea perioadă datorită randamentului scăzut care îl aduceau în cadrul unei structuri electrice, astfel au apărut tranzistoarele MOSFET Denumirea de MOSFET derivă din reuniunea unui principiu și anume efectul de câmp (FET) cu a unui corp semiconductor, metal-oxid-semiconductor (MOS). Principala calitate a acestui tranzistor o constituie faptul că traseul curentului prin tranzistor este impus cu ajutorul unui canal denumit canal indus. Acest tranzistor cu canal indus se bucură de două mari avantaje: consum de putere mic atunci când se formează traseul curentului și menținerea unui curent constant realizat prin purtătoarea minorității.

3.9. Structura tranzistorului MOSFET

Figura 3.2. [NUME_REDACTAT] MOSFET [23]

În figura 3.2 se observă prezența unui strat mai slab dopat, , cu o valoare de . În vederea asigurării unui strat cât mai uniform se realizează întrepătrunderea structurii corp-sursă și poartă-sursă. Deși apar modificări doar la nivelul straturilor prin inversarea lor, realizarea tranzistorului MOSFET de tip p se face tot mai rar în ultima perioadă, domeniul de aplicabilitate fiind tot redus.

Capacități parazite precum drenă-sursă, poartă-sursă, poartă-drenă afectează funcționare în parametrii normali ai unui astfel de tranzistor.

3.10. [NUME_REDACTAT]

Se identifică în figura 3.3.a) schema electrică specific tranzistorului MOSFET de tip n. În figura 3.3.b) este descrisă forma caracteristicii statice , în timp ce în figura 3.3.c) se analizează caracteristica de transfer prin reprezentarea tenisunii de prag și a curentului .

Figura 3.3. a) Funcționarea tranzistorului; b) Forma caracteristicii statice c) Forma caracteristicii de transfer [23]

Structura caracteristii statice este descrisă de mai multe suprafețe, conform [23]: dreapta, suprafața activă, suprafața ohmică.

suprafața dreapta, constituită din tensiunea controlează limita de tensiune introdusă în tranzistor, o limitare necorespunzătoare ar duce la degradarea porțiunii drenă-corp tranzistorului;

(3.1);

suprafața ohmică este descrisă prin curentul de dren în formula (5.2)

(3.2)

unde tensiunea dren-sursă variază în jurul unor valori mici.

3.11. Caracteristica dinamică

În figura 3.4. ansamblul R,L reprezintă o sursă de curent constant pentru drena tranzistorului MOSFET. În figura de mai jos sunt reprezentate tensiunile drenă-sursă, poartă-sursă, precum și capacitățile parazite poartă-drenă precum și poartă-sursă . Alimentarea porții este menținută de către DG, driverul de poartă. Forma curentului generat de driver-ul de poartă este una a unui semnal de tip treaptă, care se modifică în zona tranzistorului ca motiv a apariției capacităților parazite ,.

Figura 3.4. Schema necesară analizei caracteristicilor dinamice [23]

În intervalul de intrare în conducție a tranzistorului MOSFET apar mai multe perioade:

prima denumită timp de întârziere, notat , unde , ,;

a doua în care se realizează creșteri ale valorilor tensiunii poartă-sursă, iar curentul de drenă crește treptat într-un interval notat,,cu o valoare ;

cea în care dioda trece dintr-o stare de conducție după finalizarea intervalului , la o stare de blocare;

ultima perioadă descrie modificări ale tensiunii dren-sursă în sens negativ, ca urmare a apariției zonei ohmice;

Timpul de intrare în conducție este definit de următoarea formulă:

(3.3)

Capitolul 4

Metode de urmărire a punctului de putere maximă

Sursele fotovoltaice sunt utilizate actualmente în numeroase aplicații precum: încărcătoare de baterii, surse de energie pentru sateliți.

Tehnica de urmărire a punctului de putere maximă a sistemelor fotovoltaice este utilizată în scopul măririi eficienței puterii de ieșire a panourilor fotovoltaice, încercându-se transformarea temperaturii respectiv a caracteristicilor de radiație solară în caracteristici electrice. Noile tehnici de urmărire a punctului de putere maximă se bazează pe implementarea unui convertor controlat în totalitate de un microcontroler.
Diferența între aceste noi metode și cele utilizate în anii anteriori o constituie utilizarea directă a unui sistem înaltă eficiență, cost redus și anume convertorul DC/DC ,

Principiul de funcționare a punctului de putere maximă are ca scop compararea unei tensiuni sau a unui curent cu o constantă de referință care reprezintă o tensiune sau un curent, în funcție de preferințe.

Figura 4.1 Prezentarea sistemului de control al panoului fotovoltaic în funcție de referințe [9]

În cazul în care PV ([NUME_REDACTAT]) este controlat de sistemul MPPT ,vezi figura 4.1. valoarea curentului obținut este comparată cu un curent de referință introdus de un microcontroler.

4.1. Metoda incrementării inductanței

Metoda incrementării inductanței se deduce din următoarele formule

(4.1)

și

(4.2)

în cazul în care randamentul este egal cu

(4.3)

unde P,V și I reprezintă ieșirile puterii, tensiunii și curentului. Cu ajutorul unui microcontroler este controlat semnalul PWM generat de convertorul DC/DC, obținut dacă este îndeplinită condiția (4.4),conform[7]

(4.4).

Singurul dezavantaj al acestei metode este acela că circuitul de control implică un cost ridicat de achiziție.

Figura 4.2 Sistemul de control al panoului fotovoltaic bazat pe metoda incrementării inductanței [9]

4.2. Metodă de urmărire a punctului de putere maximă folosită pentru încărcarea unui acumulator

Pentru exemplele în care sunt utilizate încărcătoarele de baterii unde este necesar ca ieșirea tensiunii să fie majoritatea timpului constantă, un controler MPPT poate fi implementat asemenea figurii 4.3. Valoarea curentului de încărcare a acestor acumulatoare poate fi utilizată pentru a controla ciclul semnalului PWM aplicat convertorului DC/DC.

Marea problemă se remarcă însă la nivelul tensiunii de ieșire care trebuie să aibă în permanență o valoare constantă.

Figura 4.3. Sistem de control al panoului solar folosit în scopul încărcării unui acumulator [9]

4.3. Metoda de control a puterii convertorului

Metoda de control a puterii convetorului constă în controlul puterii convertorului prin intermediul puterii de ieșire a panoului fotovoltaic. Altgoritmul MPPT se bazează pe compararea puterii de ieșire a panoului fotovoltaic cu o altă putere impusă prin specificarea tensiunii și a curentului. Prin compararea unei tensiuni obținute în etapa x cu o tensiune obținută în etapa x-1 se verifică variațiile puterii. Controlul convertorului realizat cu ajutorul unui procesor digital de semnal este necesar pentru obținerea unui timp de răspuns mic cu o eficiență ridicată.

Figura 4.4. Metodă de control a puterii convertorului [9]

4.4. Metoda de urmărire prin implementarea unei tensiunii de referință

O metodă apropiată de cele mai sus prezentate se bazează pe calculul unei tensiuni conform formulei de mai jos:

(4.5)

unde k,k+1 reprezintă două constante; M este mărimea pasului; , reprezintă o putere respectiv o tensiune instantanee a panoului solar.

Dacă majoritatea metodelor descrise anterior se bazau pe reglarea tensiunii de ieșire a panoului fotovoltaic, respectiv pe echivalarea curentului cu o tensiune în această metodă descrisă în figura 4.5 microcontrolerul devine pionul principal folosit pentru măsurarea puterii de ieșire și pentru schimbarea sensului semnalului aplicat convertorului DC/DC. Sensul semnalului este schimbat în funcție de aceste măsurători și rămâne același până când punctul de putere maximă este atins. Aplicarea acestei metode dezvoltă un consum redus de putere al microcontrolerului și o eficiență ridicată a convertorului DC/DC.

Figura 4.5 Metoda de urmărire a punctului de maxim prin implementarea unei tensiuni de

referință [9]

4.5. Metoda scurt-circuitării panoului fotovoltaic pentru determinarea valorii curentului de scurt-circuit

În lucrarea de față a fost luată în considerare, datorită unor costuri de implementare scăzute și a unui altgoritm cu un grad de dificultate relativ scăzut metoda scurt-circuitării panoului fotovoltaic care se bazează pe încărcarea unui impuls cu ajutorul căruia să poată fi generată condiția de scurt-circuit. Cerințele actuale impuneau ca fiind necesar pentru implementarea acestei metode un comutator care aplică în mod periodic un scurt-circuit panoului fotovoltaic dar și măsoară curentul de scurt-circuit Isc. În timpul realizării scurt-circuitului tensiunea de la intrare, respectiv de la ieșirea panoului fotovoltaic va tinde spre valoarea 0. Întreg circuitul va trebui alimentat acum din altă sursă. Unul dintre cele mai mari avantaje este acela că toleranța capacitații va fi comparată cu metoda Voc.

Această metodă impune ca fiind necesare două valori de referință și anume , adică curentul de scurt-circuit și curentul de aproximare, valori care sunt exprimate prin ecuația (4.6), conform [7] :

(4.6)

Printre dezavantajele metodei enumerăm următoarele: majoritatea rezultatelor se bazează pe aproximări; este necesară prezența unei surse de alimentare secundare, deoarece la scurt-circuit curentul prin circuit tinde spre valoarea 0; datorită instabilității suportului tehnic oferit pentru acestă metodă există puține aplicații dezvoltate în acest sens.

Capitolul 5

Modulul GPRS, Mtx-65+g-V3

5.1. Prezentare generală a sistemelor GPRS

Sistemul global de comunicații mobile (GSM) reglementat de către ETSI ([NUME_REDACTAT] [NUME_REDACTAT]) reprezintă sistemul de comunicare europeană adoptat și acreditat în mai mult de 100 de țări la ora actuală. Serviciul de comunicare GSM suportă pe lângă serviciile de date mai puțin exploatate datorită ratei de transfer scăzute a pachetelor de date, 14,4 Kbit/secundă și servicii de voce, de altfel cele mai dezvoltate pe această rețea, unde informația recepționată este codată luând forma unui semnal digital, ulterior transmis prin intermediul rețelei GSM cu ajutorul circuitelor comutate.

De asemenea există un interes crescut pentru dezvoltarea acestei rețele, fapt pentru care se evită înlocuirea ei prin adăugarea unor circuite de mare viteză de comutație HSCSD ([NUME_REDACTAT] [NUME_REDACTAT] Data) necesare pentru creșterea vitezei de transmisie a datelor prin introducerea mai multor sloturi de timp destinate fiecărui abonat. În ceea ce privește sistemul GPRS acesta se bazează pe alocarea mai multor intervale de timp destinate fiecărui utilizator, motiv pentru care rata de transfer a datelor va crește la 170 kbit/secundă.

Rețeua GPRS ([NUME_REDACTAT] [NUME_REDACTAT]) se bazează pe schimbul de informații, în special date, între sistemele de comunicații de tip 2G sau 3G. GPRS-ul reprezintă efortul unor studii îndelungate unde latența ,viteza și debitul transmiterii informației sunt influențate de către numărul de utilizatori care folosesc rețeaua la un moment de timp dat.

Pentru sistemele 2G sunt oferite rate de transfer a datelor cuprinse între 56-114 kbit/secundă. Avansând în analiza noastră constatăm că sistemele 2.5G reprezintă o combinație între sistemul 2G și cel GPRS. Serviciul oferă viteze de transfer a datelor acceptabile folosind tehnica de acces multiplu TDMA ([NUME_REDACTAT] [NUME_REDACTAT]) pe diferite canale.

5.2. Servicii oferite și aspecte referitoare la sistemul GPRS

În ceea ce privește serviciile oferite sistemul GPRS oferă două tipuri de servicii: servicii punct la punct orientate pe conexiuni bazate pe protocoalele de rețea și servicii de tip multipunct destinate utilizatorilor care au posibilitatea de transmitere a pachetelor de date spre mai multe destinații cu ajutorul unui singur serviciu.

Serviciile de tip multipunct permit utilizatorului ca apelul anumitor membri să fie restricționat în funcție de zona geografică în care se află. În ceea ce privește apelurile de tip ip-multicast acestea sunt independente de poziția geografică a abonatului, mai mult ele pot face parte din cadrul rețelei sau pot funcționa concomitent cu aceasta.

Structura modulului GPRS este construită și dezvoltată de către ETSI pe platforma modulului GSM, construit în așa fel încât acestea să nu interfereze între ele. Singura modalitate care de altfel este și aplicată constă în transmiterea rapidă a datelor prin modulul GPRS fără a afecta componentele PLMN ale sistemului GSM.

5.2.1. Terminale GPRS

Sistemele GSM și GPRS se bazează pe o foarte bună comunicare, astfel încât nici unul nu trebuie să producă degradări celuilalt, motiv pentru care în structura lor sunt definite trei tipuri de terminale. Primul de clasă A trebuie să suporte comutarea simultană a pachetelor și circuitelor pentru fiecare utilizator pentru a putea iniția sau prelua un apel fără a întrerupe transmisia sau recepția de date.

Al doilea de clasă B permite întreruperea transmisiei de date atunci când un apel vocal este în curs de desfășurare, fapt ce impune ca sistemul GSM și GPRS să lucreze împreună în acea periodă de timp. Al treilea terminal cel de clasă C permite utilizatorului conexiunea la un singur tip de serviciu, într-un anumit timp, și într-un anumit mod.

Figura 5.1. Arhitectura rețelei GPRS [40]

5.2.2. GPRS BSS

Modulul GPRS utilizează aceleași benzi de frecvențe, aceleași structuri TDMA și aceiași modulație radio ca și modulul GSM, fapt care permite reutilizarea componentelor modului GSM fără a mai introduce modificări majore în circuitul GPRS. Pentru controlul cât mai bun a pachetelor de date se introduce o nouă structură numită PCU ( [NUME_REDACTAT] Unit) plasată între BSS-ul și NSS-ul rețelei GPRS.

5.2.3. GPRS NSS

Sistemul GPRS introduce noi tehnici pentru modulul GSM printre care un nod suport al sistemului GPRS denumit GSN care poate fi atât un serviciu de tip SGSN cât și o poartă, GGSN. Aceste noi structuri sunt necesare serviciului GSM pentru activarea serviciului de transmitere a datelor prin intermediul rețelei. Practic o rețea de acest tip este divizată în mai multe arii controlate fiecare de către un SGSN. Deși HLR-ul ([NUME_REDACTAT] Register ) este încărcat cu informația utilizatorului GPRS, încărcarea VLR-ului și a MSC-ului nu este necesară, deși se recomandă introducerea unor îmbunătățiri pentru o mai bună legătură între SGSN și MSC/VLR.

În structura GPRS-ului se folosesc mai multe interfețe și anume: interfața Gb prezentă între BSC și SGSN, o interfață Gn pentru comunicarea între două GSN-uri, o interfață Gr pentru transmiterea apelurilor și recepția informațiilor între SGSN și HLR , o interfață Gs plasată între SGSN și MSC/VLR și o interfață Gi intermediară între un GGSN și între o rețea PDN ([NUME_REDACTAT] Network).

5.2.4. Securitatea sistemului GPRS

Având în vedere faptul că protecția datelor în transmiterea ,respectiv recepția lor în ceea ce privește sistemul de comunicații GSM este foarte importantă se prezintă în continuare câteva tehnici de sporire a gradului de securitate:

Autentificarea GPRS constă în sporirea gradului de securitate prin introducerea codului pin. Totuși există numeroase metode care permit aflarea codului pin, una dintre ele putându-se realiza prin intermediul transmisiilor radio, dat fiind faptul că pinul este atașat fiecărei informații transmise,el poate fi capturat și descifrat în identitatea utilizatorului. De altfel sistemele GSM și GPRS moderne introduc un altgoritm de generare automat a unui nou cod pin pentru fiecare informație transmisă. Cu ajutorul unui altgoritm de tipul operator dependent de o singură cale se generează o cheie care îi trimite utilizatorului o valoarea ascunsă.

Cifrarea în sistemul GPRS. Odată cu autentificarea MS-ului se realizează startul cifrării între MS și SGSN, identic se folosește o cheie de acces denumită Kc și utilizată pentru a realiza codarea informației schimbată între punctele MS și SGSN. Altgoritmul de cifrare a sistemului GPRS este o cale de a preveni trecerea pachetelor de date spre BTS-uri diferite. Pentru fiecare pachet de date transmis, între MS și BTS, sistemul GPRS utilizează un singur canal logic pentru transmisia acestora.

Securitatea în sistemul GPRS central. Cu toate că securitatea utilizatorului prin autentificare era realizată, securitatea transmiterii pachetelor de date între MS și SGSN era îndeplinită, era nevoie încă de impunerea unui nou sistem de securitate plasat, din punct de vedere logic dincolo de sistemele SGSN și GGSN. În primă etapă se impunea un IP care asigura securitatea prin intermediul protocolului de securitate IP, protocol care de altfel asigura integritatea și confidențialitatea datelor transmise.

Acest tip de securitate poate fi impus și de către un utilizator prin îndeplinirea următoarelor etape: se instalează firewall-ul și punctul de referință Gi, între un GGSN și o rețea externă, se utilizează limita porților pentru interfațarea cu o rețea GPRS externă, se creează o rețea de protecție centrală, care utilizează părți din structura protocolului de securitate IPsec și în final anumite mecanisme de filtrare a pachetelor de date transmise.

5.2.5. Avantaje. Dezavantaje.Limitări ale sistemului GPRS

Sistemul GPRS stă la baza construcției generației a treia de comunicații wireless, spre exemplu accesul la internet, acolo unde realizarea unei infrastructuri de telefonie este imposibilă, ,creează noi servicii de comunicații printre care amintim serviciul EDGE, serviciu cunoscut datorită introducerii unei noi tehnici de modulație pentru transmisia pachetelor de date pe calea aerului; UMTS, serviciu care constituie miezul celei de a treia generații de sisteme de comunicare,3G, dezvoltat într-un context extrem de favorabil pentru sistemele ETSI și 3GPP.

Deși în teorie este precizat faptul că viteza sau rata de transmisie a datelor este mare, 170 kbit/secundă se constată faptul că o simplă rețea GPRS nu poate atinge această valoare, totuși ar fi posibilă prin introducerea a opt canale de timp pentru fiecare utilizator, în anumite limite. Sistemul GPRS așa cum este precizat și în teorie se bazează pe schimbul de pachete de date, traseul acestor pachete de date având diverse rute, pachetul de date ajunge mai rapid sau mai târziu la destinație, motiv pentru care sistemul Qos poate fi afectat. Bazat și pe un mecanism de retransmisie a datelor pentru a se asigura integritatea pachetelor de date trasnsmise sistemul GPRS se pot afecta și mai mult întârzierile pe diverse rute. Ținându-se cont de faptul că între BSS și SGSN este acceptată numai o transmisie asincronă a pachetelor de date se constituie o adevarată provocare cerința de a transmite în timp real pachetele de date.

5.3. MTX-65+G-V3

Figura 5.2. Modulul de comunicare MTX-65+G-V3 [12]

Modulul MTX-65+G-V3 dedicat transmiterii informațiilor prin intermediul rețelei globale de comunicații mobile (GSM) constituie un adevărat complex special creat pentru a include serviciile de tip voce, date, fax și sms. Cele 4 benzi GSM asigură interoperabilitate în toate frecvențele GSM publice.

Având în componență un receptor GPS cu 16 canale modulul MTX-65 lucrează cu tehnici moderne de tip AGPS (Sistem de poziționare globală asistată), DGPS(Sistem de poziționare globală diferențială), SBAS (Satelit bazat pe augumentarea sistemului, necesar pentru reglarea acurateții sistemului de navigație).

Modulul MTX-65 include și un port serial de tip RS232,dar și porturi de tip SPI-I2C, devenind astfel un instrument de înaltă performanță care asigură și o securitate crescută prin introducerea intrărilor/ieșirilor opto-izolate. Din punct de vedere al software-ului el deține numeroase aplicații Java și un sistem de repornire automată după oprire. Având dimensiuni reduse el deține și un cititor de card SIM, fiind permisă și conexiunea cu un PC.

Modulul MTX-65 respectă normele de securitate și protecție a mediului fiind avizat RoHS și încadrat în standardul de calitate ISO9001 și ISO14001. Modulul poate veni însoțit opțional,în funcție de preferințe, de către o baterie LI-ION de 1250 mA/h.

5.3.1. Piese componente,performanță și servicii

Din punct de vedere a pieselor componente modulul conține un conector de antenă de tip FME/M și un conector de antenă de tip SMA/F care are în structura sa 3 intrări/ieșiri optoizolate, 1 intrare/ieșire TTL, 2 intrări analogice, 1 interfață I2C/SPI, 2 porturi RS232 UART. Modulul conține și un port USB 2.0 și o interfață pentru cartela SIM.

Din punct de vedere a performanțelor și serviciilor dispune de un procesor de tip [NUME_REDACTAT], de un procesor de prelucrare digitală a semnalului de tip BlackFin. Memoria este structurată în 400 kB de memorie Ram și 1,2 MB memorie de tip Flash. Modulul dispune și de un mod de salvare a puterii. [NUME_REDACTAT]-ului sunt date de precizia poziției cu ajutorul sistemului DGPS și SBAS. Se remarcă introducerea comenzilor AT dedicate Gps-ului. Gps-ul dispune și de sistem de poziționare globală asistată, precum și de protocoale specifice NMEA -0183, v.2.3 și RTCM v.2.2.

Din punct de vedere al GPRS-ului este folosită versiunea cu 12 clase, suportul PBCCH și stația mobilă de clasă B. Referitor la circuitul de încărcare a datelor se folosește varianta V.110, cu suport VSSD și viteză de încărcare a datelor de 14,4 kbit/secundă. Sistemul de reducere a ecoului, cel de utilizare handsfree , a codecului de rată triplă pentru HR,FR,EFR sunt cele care alcătuiesc serviciul de voce.

Capitolul 6

[NUME_REDACTAT]

Implementarea altgoritmului de urmărire a punctului de putere maximă prin metoda scurt-circuitării panoului fotovoltaic descris la punctul 4.5 este introdusă în aplicația practică dezvoltată de către mine. Ca principale motive în alegerea acestei metode le includem și pe acelea de a putea face diverse măsurători, a stabili anumiți parametri și a o dezvolta din punct de vedere tehnic.

Schema principală, adică cea în care se scurt-circuitează panoul fotovoltaic, este descrisă în figura 6.1.

Este important de clarificat faptul că am încercat crearea unui circuit conectat ulterior la placa de comandă TB01B5. În aplicația realizată, placa de comandă,TB01B5, servește ca și o placă sursă , “master”, la care se adaugă circuitul dezvoltat de către mine, cea din urmă putând fi catalogată ca o placă de tip “slave”.

Figura 6.1. Schema circuitului electric pe care la care se aplică metoda scurt-circuitării panoului

Conform figurilor 6.2 și 6.1 se identifică următoarele conexiuni: pinul 4 regăsit pe placa de comandă prin notația H.O este conectat la poarta tranzistorului ; pinul 3 reprezentând masa plăcii de comandă este conectat la masa circuitelor; placa de comandă este conectată cu sursa lui , bobina și drena tranzistorului prin pinul 2, Vss; pinul 1 marcat pe placa de comandă prin notația L.O este conectat la grila tranzistorului

Figura 6.2. Conectarea pinilor plăcii de comandă cu placa creată

Este important de menționat faptul că panoul solar, în cazul nostru, va fi activ doar în momentele în care nivelul de încărcare al acumulatorului va fi mai mic de 5V. Acumulatorul se va încărca prin intermediul microcontrolerului și anume prin pinul de ieșire AN6 conform figurii de mai jos; pinii A respectiv B reprezintă modalitatea de conectare a acestui circuit la schema electrică din figura 6.1.

Figura 6.3. Variantă de încărcare a acumulatorului de 12 V

Diagrama logică a altgoritmul de scurt-circuitare a panoului fotovoltaic , altgoritm impus de altfel și în programul dezvoltat împreună cu coordonatorul proiectului, este prezentată în cele ce urmează.

Figura 6.4. Diagrama logică a metodei de scurt-circuit a panoului fotovoltaic

Conform figurii 6.4. se descriu următorii pași: pasul 1 constă în achiziționarea curentului ; pasul 2 constă în testarea unei condiționări, ; dacă condiționarea este acceptată se execută instrucțiunea , în caz contrar se execută instrucțiunea ; după executarea acestei rutine se revine la primul pas, nu înainte să fie executată și instrucțiunea .

În descrierea circuitului realizat se vor aduce justificări referitoare la utilizarea anumitor componente pentru placa dezvoltată de către mine, în concluzie una dintre componentele de bază o reprezintă panoul solar.

Figura 6.5. Vedere frontală a panoului, model STP005S-12/[NUME_REDACTAT] solar utilizat în lucrarea de față și prezentat în figura 6.5 este produs de către firma Suntech [13], model STP005S-12/Db și testat la o radiație solară de și temperatură . Caracteristicile acestui panou solar fiind delimitate de următorii parametrii: putere maximă dezvoltată 5W; curentul obținut la atingerea puterii maxime, ; tensiunea la atingerea puterii maxime, ; curentul la scurtcircuit, =0.32A; tensiunea de mers în gol temperatura nominală de funcționare a celulei 50 C; tehnologia de realizare a celulei, Monosiliciu.

A doua componentă primordială este reprezentată de tranzistorul IRF530, de fapt componentele primordiale, deoarece aceștia sunt în număr de trei, notați în figura 6.1 cu . Primul tranzistor este conectat conform următoarele prevederi: drena tranzistorului (vezi anexa 2 ) se va conecta la rezistența , având o valoare relativ mică de 0.390Ω; conexiunea între grila tranzistorului și placa de comandă (nr.2) se va realiza prin rezistența , cu o valoare de 100 Ω,; sursa tranzistorului urmând să fie conectată la punctul de masă.

Din punct de vedere logic acest tranzistor, , reprezintă creierul acțiunilor efectuate pe circuit, după microcontroler, deoarece la nivelul lui se va aplica semnalul,, ulterior modificat prin creșterea sau descreșterea valorii factorului de umplere, care va trece pentru o perioadă scurtă de timp, câteva µs, circuitul în scurt-circuit. Acest lucru va duce la posibilitatea de citire a valorilor curentului în anumite momente de timp, pentru a determina dacă energia obținută de la panoul solar a atins, sau nu, punctul de maxim; în cazul în care acest punct de maxim nu va fi atins se va continua acțiunea descrisă anterior.

Pentru a se realiza comanda tranzistorului , adică de a-i furniza acestuia una dintre cele două comenzi: închis sau deschis este nevoie de generarea unui impuls. Acest impuls este dat de către microcontrolerul PIC16F887 prin intermediului bitului RA4 al registrului TRISA asupra plăcii implementate (vezi figura 6.6). Timpul în care acest impuls se repetă, adică timpul în care tranzistorul trece din starea de blocat în starea de conducție,sau invers, poate fi setat prin intermediul microcontrolerului la nivelul programului.

Figura 6.6. Mecanismul de transmitere a impulsurilor de comandă a tranzistorului

Tranzistorul este conectat respectând următorii pași: drena se conectează între catodul diodei Schotky, , catodul diodei de protecție, , și condensatorul cu o valoare nominală de 100nF(nanoFarad); poarta tranzistorului comunică cu placa de comandă (nr. 4) prin intermediul rezistenței de 100Ω, notată simbolic ; sursa tranzistorului se leagă din punct de vedere electric cu bobina ,drena tranzistorului și placa de comandă.

În cazul celui de al treilea tranzistor,, drena se conectează între sursa tranzistorului ,bobina și placa de comandă (nr.1); poarta tranzistorului comunică prin intermediul rezistenței ,100Ω cu placa de comandă; sursa la fel ca în cazul primului tranzistor este conectată la punctul de masă.

Rolul unei diode de protecție a panoului solar este îndeplinit de către diode . Se folosește în plus o bobină care are ca principal scop înmagazinarea unei părți din curentul produs de către panoul solar și un consummator de 5W la 120Ω.

Pe schema electrică a circuitului de urmărire a punctului de putere maximă se observă folosirea unei surse secundare de alimentare cu energie electrică; ținând cont de faptul că microcontrolerul PIC16F887 are nevoie de o alimentare continuă de minim 5V, se justifică folosirea acestei surse. În cadrul acesteia dioda are rol strict de protecție, adică în momentul în care apare un curent semnificativ prin circuit dioda se va închide oprind alimentarea cu energie electrică dinspre sursă și în momentul în care valoarea curentului scade semnificativ, dioda va permite trecerea curentului dinspre sursă înspre circuit. Această metodă reprezintă o tehnică simplă de protecție a datelor din interiorul microcontrolerului PIC16F887. În cazul în care ansamblul format din placa de comandă, panoul solar și circuitul secundar sunt poziționate în câmpuri deschise, unde alimentarea cu energie electrică este dificilă de asigurat, se poate înlocui această sursă prin introducerea unui acumulator de capacitate mai mare, care va fi încărcat în momentele “benefice” de radiație solară de către panou.

Este necesară și evidentă introducerea unui traductor de tipul ZXCT1021 descris de următorii parametrii respectiv , și prezentat în figura 6.7.

Figura 6.7. Structura internă a traductorului ZXCT1021 [15]

În continuare se va descrie proiectarea circuitului de detecție a curentului de scurt-circuit a panoului fotovoltaic:

Prima metodă: se calculează = 0.437 Ω; conform foilor de catalog al tranzistorului , se identifică valoarea lui . În continuare se calculează . Ținând cont de faptul că > 0.07W, se alege în final o rezistență , toleranță 1%, capsulă SMD 1206.

Pornind de la premisa că pentru 5V, tensiunea lui , îi corespunde adică 1024 biți atunci la 1.4 V îi vor corespunde 286 biți. Conform acestui calcul rezultatul obținut va fi reprezentat pe 10 biți, în cele două registre,ADRESL și ADRESH, lucru nedorit de către noi. O modalitate de evitare a acestui fapt ar fi înlocuirea rezistenței cu o alta mai mare.

Metoda a doua: se calculează adică y Dacă am avea o valoare de 1.25 V adică 125 mV, atunci , unde 0.32A reprezintă valoarea curentului de scurt-circuit a panoului.

În final se alege , toleranță 1%, capsulă SMD 1206, cu o tensiune de scurt-circuit de 176 mV.

În imaginea 6.8 este prezentată placa de comandă pe care este atașat atât microcontrolerul PIC16F887 cât și driverul IR2010.

Figura 6.8. Placa de comandă

Microcontrolerul PIC16F887 asigură interfața software dar și o parte din cea hardware necesară implementării altgoritmului de urmărire a punctului de putere maximă. În interiorul acestui microcontroler se află codul sursă al programului. De la nivelul acestui microcontroler se trimite semnalul de comandă, , care comandă cele două stări ale tranzistorului închis sau deschis,modificarea factorului de umplere este realizată tot de acest microcontroler în funcție de respectarea anumitor condiții implementate în codul sursă al programului.

În imaginea 6.8 se remarcă folosirea driverului IR2010 (vexi anexa 3) , care îndeplinește mai multe sarcini: a unui convertor de tip DC-DC , a unui tranzistor, dar și a unui driver de tip IGBT conform foilor de catalog.

Pornind de la faptul că semnalul regăsit în circuitul construit de către mine are o reprezentare analogică și că rularea codului sursă se execută cu valori reale ale acestui semnal, este nevoie iminentă de prezența unei conversii a acestui semnal analogic în semnal digital pentru execuția codului sursă, în consecință în figura 8.4 sunt reprezentate intrările/ieșirile convertorului analog digital.

Tot odată placa de comandă dispune și de un buton de reset diponibil pentru cazurile în care se dorește revenirea la setările din fabrică a plăcii de comandă.

Pinul alocat pentru conversia semnalului analog în digital este RE0. Acest pin este setat ca pin de intrare analogică, conform următoarelor instrucțiuni pentru codul sursă:

Banksel TRISE ; accesăm registrului TRISE

Bsf TRISE,0 ; setăm RE0 ca pin de intrare

Banksel ANSEL

Bsf ANSEL,.5 ; setăm RE0 ca pin de intrare analogică

Folosirea acestui convertor impune și configurarea modului ADC, conform următoarelor instrucțiunii:

Banksel ADCON1

Bsf ADCON1, adfm

Movlw B ‘01010101’ ; se setează Fosc/8; validăm modulul ADC

Movwf ADCON0

În figura 6.9 este prezentată modalitatea de conexiune a convertorului analog digital a plăcii TB01B5 cu placă dezvoltată, desigur este nevoie și de inițializarea convertorului acestei plăci conform etapelor descrise în foile de catalog și ilustrate mai jos.

Bsf STATUS, RP0

Movlw .2

Movwf PWM1CON ; se încarcă conținutul lui PWM1CON

Movlw .200; se setează perioada prescalerului TMR2

Movwf PR2 ; Perioada are valoarea 1/10 KHz

Bcf STATUS, RP0 ; se revine la bancul 0

Bcf STATUS,RP0

Bcf STATUS, RP1

Movlw 0x8C ; se setează modul de lucru semipunte al modulului CCP

Movwf CCP1CON

Bcf STATUS, RP0

Bcf STATUS, RP1

Movlw .1

Movwf CCPR1L; se încarcă în registrul CCPR1L și setează factorul de umplere cu valoare mică

Bcf STATUS, RP0

Bcf STATUS, RP1

Bcf PIR1,1; bitul TMR2IF din PIR1 plasat în bancul 0

Bcf T2CON,0 ; setare prescaler TMR2 la 1:1

Bcf T2CON,1 ; registrul T2CON în bancul 0

Bsf T2CON,2 ; Timer 2 este pornit

Btfss PIR1,1

Goto $-1

Bsf STATUS, RP0

Bcf TRISC, TRISC2 ; setarea se face doar în momentul în care se dorește generarea PWM

Bcf TRISD, TRISD5 ; setarea se face doar în momentul în care se dorește generarea PWM

Bcf STATUS,RP0

Figura 6.9. Firul de conexiune a convertorului analog digital între placa implementată și placa TB01B5

Pentru validarea încărcării programului pe structura software a microcontrolerului se folosește o rutină de test a ledurilor,descrisă mai jos, astfel dacă ledurile se aprind programul a fost încărcat, în caz contrar nu sa efectuat încărcarea programului. Există numeroase situații în care programul scris anterior rămâne pe microcontroler, nu se șterge și în acest caz prin modificarea rutinei se poate verifica dacă noul program a fost încărcat sau nu.

Bsf PORTA, .0 ; ledul 1 este aprins

Bcf PORTA, .1 ;ledul 2 este stins

Bsf PORTA, .2 ; ledul 3 este pornit

POZE Rutina de aprindere a ledurilor(…….)

Program descris

Schema montaj final

[NUME_REDACTAT] de față descrie una dintre metodele de urmărire a punctului de putere maximă și anume cea a scurt – circuitării panoului fotovoltaic pentru obținerea unei valori a curentului de scurt – circuit. Această valoare a curentului de scurt – circuit inițial măsurată este una foarte mică, de aceea este necesară introducerea traductorului ZXCT1021. Lucrarea conține în plus și descrierea structurii celulelor solare, dar se prezintă și principalele categorii de celule solare utilizate în comerț. Într-un alt capitol este prezentată si structura modulului GPRS alimentat de panoul solar, dar și tehnici de protecție a datelor la nivelul canalului de transmisie cât și a dispozitivelor.

Printre principalele avantaje ale celulelor solare enumerăm următoarele: fiabilitate, caracter regenerabil și nepoluant, posibilitate de conectare în serie pentru obținerea unei tensiuni ridicate. Celulele solare aduc în prim plan dezavantajul lor cel mai mare și anume faptul că în timp survine degradarea lor, în special a sticlei. Acest dezavantaj impune reparații capital, care adeseori survin cu schimbarea întregului panou. De reținut faptul ca panoul solar nu oferă o fiabilitate crescută în perioadele în care radiația solară scade drastic (ex. Toamna, iarna), dar și în perioadele în care temperatura mediului atinge o valoare ridicată, mai mare de 45 – 50 C.

Metoda implementată aduce și ea o serie de avantaje: altgoritm logic ușor de dezvoltat, preț scăzut de dezvoltare, posibilitatea de încărcare a unui acumulator. Printre dezavantajele metodei enumerăm: urmărirea punctului de maxim poate fi măsurată doar în funcție de curent, fără nici o altă valoare, motiv pentru care se creează o instabilitate; datorită acestui prim dezavantaj această metodă este implementată în puține aplicații, majoritatea producătorilor de astfel de circuite bazându-se pe metoda “ perturbă și observă”; cea mai mare problemă se remarcă în cazul alimentării microcontrolerului, astel încât va fi necesară o sursă secundară de alimentare; datorită valorilor foarte mici ale curentului de scurt – circuit, câțiva mA, este necesară introducerea unui traductor care mărește valoarea acestuia.

Anexa 1

Microcontrolerul PIC16F887

Capsula utilizată: TQFP

Anexa 2

Tranzistorul de putere IRF530

Acest tip de tranzistor este utilizat în prezent în mai multe aplicații datorită puterii disipate de doar 50 W.. Bazat pe un sistem de comutare rapidă ajunge să opereze la temperaturi de până la C, asigurând totodată normele de protecție a mediului prin încadrarea în standardul RoHS 2002/95/EC.

Tranzistorul MOSFET IRF530 de tip n [14]

Parametrii de funcționare [14]

Caracteristici de transfer Aria maximă de acoperire

Reprezentarea maximă a curentului prin drenă în funcție de temperatură

Anexa 3

Driverul IR2010

Cu o tensiune de offset, , atingând valoarea maximă de 200 volți, cu o tensiune de ieșire de 10-20 volți și un curent care atinge valoarea de 3.0 Amperi driverul IR2010 reprezintă atât un tranzistor MOSFET de mare putere și tensiune , dar și un ideal driver de tip IGBT. Făcând referire la nivelul intrărilor cat și al ieșirilor se observă că intrările sunt compatibile cu standardele de tip CMOS, LSTTL, iar intrările au structura unui buffer de curent special creat pentru o conducție cât mai bună.

Conexiuni specifice driverului IR2010

Parametrii de funcționare ai driverului IR2010

Principiul de comutare a circuitului de test

Bibliografie

[1] Maghiar, Teodor și Bondor ,Károly. [NUME_REDACTAT] de Energie. Oradea: [NUME_REDACTAT] din Oradea,2007